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Electronic Structure of the Weak Topological Insulator Candidate Zintl Ba3Cd2Sb4

拓扑绝缘体 表面状态 布里渊区 拓扑(电路) 物理 电子结构 光电发射光谱学 曲面(拓扑) 凝聚态物理 材料科学 X射线光电子能谱 几何学 数学 核磁共振 组合数学
作者
Jierui Huang,Tan Zhang,Sheng Xu,Zhicheng Rao,Jiajun Li,Junde Liu,Shunye Gao,Yaobo Huang,Wenliang Zhu,Tian‐Long Xia,Hongming Weng,Tian Qian
出处
期刊:Chinese Physics Letters [IOP Publishing]
卷期号:40 (4): 047101-047101 被引量:5
标识
DOI:10.1088/0256-307x/40/4/047101
摘要

One of the greatest triumph of condensed matter physics in the past ten years is the classification of materials by the principle of topology. The existence of topological protected dissipationless surface state makes topological insulators great potential for applications and hotly studied. However, compared with the prosperity of strong topological insulators, theoretical predicted candidate materials and experimental confirmation of weak topological insulators (WTIs) are both extremely rare. By combining systematic first-principles calculation and angle-resolved photoemission spectroscopy measurements, we have studied the electronic structure of the dark surface of the WTI candidate Zintl Ba 3 Cd 2 Sb 4 and another related material Ba 3 Cd 2 As 4 . The existence of two Dirac surface states on specific side surfaces predicted by theoretical calculations and the observed two band inversions in the Brillouin zone give strong evidence to prove that the Ba 3 Cd 2 Sb 4 is a WTI. The spectroscopic characterization of this Zintl Ba 3 Cd 2 N 4 ( N = As and Sb) family materials will facilitate applications of their novel topological properties.

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