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作者
Shuichi Miura,Takashi Mikawa,Takuro Fujii,Osamu Wada
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期：1988-03-31
卷期号：24 (7): 394-395
被引量：25
摘要
A monolithic planar structure pin photodiode/field-effect transistor (pinFET) consisting of a low capacitance InP/GaInAs embedded pin photodiode and an AlInAs/GaInAs FET has been developed for long wavelength optical communications. Very high bitrate response capability of over 8Gbit/s and good receiver performance at 2Gbit/s have both been demonstrated.
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