Sputtered full-wafer backside metallization for n-type InP: effect of temperature annealing

薄脆饼 退火(玻璃) 材料科学 光电子学 复合材料 冶金
作者
St. J. Dixon-Warren,S. Zhang,R. Kuchibhatla,E. M. Griswold,Aidong Shen,Fengan Zheng,Sayantan Das
出处
期刊:Thin Solid Films [Elsevier BV]
卷期号:472 (1-2): 76-83 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.tsf.2004.06.112

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