A novel low-temperature resistive NO gas sensor based on InGaN/GaN multi-quantum well-embedded p–i–n GaN nanorods

纳米棒 材料科学 光电子学 半导体 辐照 氧化物 纳米技术 物理 核物理学 冶金
作者
Maddaka Reddeppa,Byung-Guon Park,Nguyễn Đức Chính,Dojin Kim,Jae-Eung Oh,Tae Geun Kim,Moon‐Deock Kim
出处
期刊:Dalton Transactions [Royal Society of Chemistry]
卷期号:48 (4): 1367-1375 被引量:34
标识
DOI:10.1039/c8dt04709j
摘要

In gas sensors, metal oxide semiconductors have been considered as favorable resistive-type toxic gas sensing materials.
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