High-performance and highly-stable soft error resistant 12T SRAM cell for space applications

软错误 静态随机存取存储器 NMOS逻辑 计算机科学 节点(物理) 噪音(视频) 噪声裕度 电子工程 并行计算 拓扑(电路) 工程类 计算机硬件 电气工程 电压 晶体管 结构工程 图像(数学) 人工智能
作者
Zhongyang Liu,Haineng Zhang,Yuqiao Xie,Dawei Bi,Zhiyuan Hu,Shichang Zou,Zhengxuan Zhang
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier]
卷期号:141: 114885-114885 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114885

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