Recent Progress and Next Directions for Embedded MRAM Technology

磁阻随机存取存储器 数据保留 计算机科学 超大规模集成 焊接 炸薯条 材料科学 嵌入式系统 随机存取存储器 非易失性存储器 电气工程 计算机硬件 光电子学 工程类 冶金
作者
William J. Gallagher,Eric P. Chien,Chiang Tien-Wei,Jian-Cheng Huang,Meng-Chun Shih,C. H. Wang,Christine Bair,George C. Lee,Yi-Chun Shih,Lee Chia-Fu,Roger Wang,Kuei-Hung Shen,Junqiao Wu,Wayne C. H. Wang,Harry Chuang
出处
期刊:Symposium on VLSI Technology 被引量:6
标识
DOI:10.23919/vlsit.2019.8776547
摘要

MRAM can play a variety of on-chip memory roles in advanced VLSI technology spanning from high retention, solder-reflow-capable non-volatile memory (NVM) to dense non-volatile or high retention working RAMs. This paper describes results for a solder-reflow-capable MRAM NVM and for extensions that trade off high retention against speed, power, and density.
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