Realization of transient memory-loss with NiO-based resistive switching device

作者
S. G. Hu,Yi Liu,T. P. Chen,Z. Liu,Qi Yu,L. J. Deng,You Yin,Sumio Hosaka
出处
期刊:Applied Physics A [Springer Science+Business Media]
卷期号:109 (2): 349-352 被引量:4
标识
DOI:10.1007/s00339-012-7179-9

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