Electronic structure and magnetism in g-C4N3 controlled by strain engineering

自旋电子学 磁性 凝聚态物理 应变工程 拉伤 材料科学 金属丰度 无穷小应变理论 密度泛函理论 电子结构 物理 铁磁性 量子力学 相变 相(物质) 医学 银河系 内科学
作者
L. Z. Liu,Xinglong Wu,X. X. Liu,Paul K. Chu
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:106 (13) 被引量:25
标识
DOI:10.1063/1.4916814
摘要

Regulation of magnetism and half-metallicity has attracted much attention because of its potential in spintronics. The magnetic properties and electronic structure of graphitic carbon nitride (g-C4N3) with external strain are determined theoretically based on the density function theory and many-body perturbation theory (G0W0). Asymmetric deformation induced by uniaxial strain not only regulates the magnetic characteristics but also leads to a transformation from half-metallicity to metallicity. However, this transition cannot occur in the structure with symmetric deformation induced by biaxial strain. Our results suggest the use of strain engineering in metal-free spintronics applications.

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