Semiconductor characteristics of tellurium and its implementations

半导体 光电子学 光电导性 材料科学 热电效应 硫系化合物 带隙 碲化镉光电 全息术 纳米技术 工程物理 光学 物理 冶金 热力学
作者
Aparna Das,Bimal Krishna Banik
出处
期刊:Physical sciences reviews [De Gruyter]
卷期号:8 (12): 4659-4687 被引量:1
标识
DOI:10.1515/psr-2021-0108
摘要

Abstract Tellurium (Te) gained worldwide attention because of its excellent properties, distinctive chained structures, and potential usages. Bulk Te is a p-type elemental helical semiconductor at room temperature and it also having a very limited band gap. Te presents fascinating characteristics such as nonlinear optical response, photoconductivity, good thermoelectric and piezoelectric properties. These charming characteristics induce Te a possible nominee for applications in field-effect transistors, IR acousto-optic deflectors, solar cells, self-developing holographic recording devices, photoconductors, gas sensors, radiative cooling devices, and topological insulators. The developments in these areas are incorporated in great detail. This study opens up the possibility of designing novel devices and considering modern applications of Tellurium.

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