A two-dimensional ferroelectric ferromagnetic half semiconductor in a VOF monolayer

磁化 自旋电子学
作者
Shaowen Xu,Fanhao Jia,Guodong Zhao,Wei Wu,Wei Ren,Shaowen Xu,Fanhao Jia,Guodong Zhao,Wei Wu,Wei Ren
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:9 (29): 9130-9136 被引量:33
标识
DOI:10.1039/d1tc02238e
摘要

A stable 2D multiferroic VOF monolayer is proposed, in which ferroelectric and ferromagnetic orders coexist with a negative Poisson's ratio.
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