Optimization of enhancement mode P-type Mg-doped In0.2Ga0.8N cap gate DH-HEMT for low-loss high power efficient boost converter circuits

材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 兴奋剂 晶体管 阈值电压 泄漏(经济) 电压 电气工程 工程类 宏观经济学 经济
作者
Yusuf U. Tarauni,D. John Thiruvadigal,Bijo Joseph,A. Mohanbabu
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:103: 104624-104624 被引量:9
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2019.104624
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