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The influence of surface roughness on electrical conductance of thin Cu films: An ab initio study

电导 单层 表面粗糙度 材料科学 电阻率和电导率 薄膜 从头算量子化学方法 各向同性 从头算 表面光洁度 凝聚态物理 原子单位 费米能级 电阻和电导 化学 纳米技术 复合材料 光学 电子 分子 物理 有机化学 量子力学
作者
Vladimir Timoshevskii,Youqi Ke,Hong Guo,Daniel Gall
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:103 (11) 被引量:134
标识
DOI:10.1063/1.2937188
摘要

First-principles calculations show that atomic-scale surface roughness dramatically affects the electrical conductivity of thin films. Atomic clusters, 1–3 atoms high, deposited on the flat Cu(001) surface of an 11 monolayer thick film lead to a 30−40% reduction of its conductance. This is attributed to the destruction of isotropic Fermi surface sheets. We provide a simple parametrized formula, correlating the size of the surface added structures to the film conductance, and also demonstrate that Ta and Al surface monolayers on rough Cu surfaces cause a conductance decrease and increase, respectively.

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