Disorder driven crossover between anomalous Hall regimes in Fe3GaTe2

渡线 数学 计算机科学 人工智能
作者
Sang‐Eon Lee,Minkyu Park,Wes Brown,V. A. Kulichenko,Yan Xin,S. H. Rhim,Chanyong Hwang,Jaeyong Kim,Gregory T. McCandless,Julia Y. Chan,Luis Balicas
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:111 (18) 被引量:2
标识
DOI:10.1103/physrevb.111.184438
摘要

The large anomalous Hall conductivity (AHC) of the Fe$_3$(Ge,Ga)Te$_2$ compounds has attracted considerable attention. Here, we expose the intrinsic nature of AHC in Fe$_3$GaTe$_2$ crystals characterized by high conductivities, which show disorder-independent AHC with a pronounced value $σ_{xy}^{\text{c}}\approx$ 420 $Ω^{-1}$cm$^{-1}$. In the low conductivity regime, we observe the scaling relation $σ_{xy}\proptoσ_{xx}^{1.6}$, which crosses over to $σ_{xy} \simeq σ_{xy}^{\text{c}}$ as $σ_{xx}$ increases. Disorder in low-conductivity crystals is confirmed by the broadening of a first-order transition between ferromagnetism and the ferrimagnetic ground state. Through density functional theory (DFT) calculations, we reveal that the dominant sources of Berry curvature are located a few hundred meV below the Fermi energy around the $Γ$-point. Therefore, Fe$_3$GaTe$_2$ clearly exposes the disorder-induced crossover among distinct AHC regimes, previously inferred from measurements on different ferromagnets located in either side of the crossover region.
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