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Electron Mobility Behavior of Ge-Free Ultrathin-Body (UTB) Strained-SOI (sSOI) MOSFETs

材料科学 绝缘体上的硅 电子迁移率 MOSFET 光电子学 工程物理 凝聚态物理 晶体管 电气工程 物理 工程类 电压
作者
Kwan Su Kim,Won Ju Cho
出处
期刊:Journal of the Korean Physical Society [Springer Science+Business Media]
卷期号:54 (5(1)): 1840-1843
标识
DOI:10.3938/jkps.54.1840
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