Vanadium doping using VCl4 source during the chloro-carbon epitaxial growth of 4H-SiC

作者
Bharat Krishnan,Siva Prasad Kotamraju,Rooban Venkatesh K.G. Thirumalai,Yaroslav Koshka
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:321 (1): 8-14 被引量:11
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.02.010

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