Band tailing and efficiency limitation in kesterite solar cells

锌黄锡矿 光致发光 材料科学 光电子学 激子 电介质 量子效率 瓶颈 GSM演进的增强数据速率 带隙 凝聚态物理 物理 计算机科学 捷克先令 电信 嵌入式系统
作者
Tayfun Gokmen,Oki Gunawan,Teodor K. Todorov,David B. Mitzi
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:103 (10) 被引量:669
标识
DOI:10.1063/1.4820250
摘要

We demonstrate that a fundamental performance bottleneck for hydrazine processed kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) solar cells with efficiencies reaching above 11% can be the formation of band-edge tail states, which quantum efficiency and photoluminescence data indicate is roughly twice as severe as in higher-performing Cu(In,Ga)(S,Se)2 devices. Low temperature time-resolved photoluminescence data suggest that the enhanced tailing arises primarily from electrostatic potential fluctuations induced by strong compensation and facilitated by a lower CZTSSe dielectric constant. We discuss the implications of the band tails for the voltage deficit in these devices.
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