Dual-Junction Field-Effect Transistor with Ultralow Subthreshold Swing Approaching the Theoretical Limit

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作者
Xinhao Chen,Shasha Li,Lingyu Zhu,Jingbo Li,Yiming Sun,Nengjie Huo
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:16 (18): 23452-23458 被引量:6
标识
DOI:10.1021/acsami.3c17572
摘要

. The novel dual-junction vdWJFET provides a new approach to realize a transistor with a theoretical ideal SS and a negligible current hysteresis toward low-power electronic applications.
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