Sol-Gel Fabricated CuO Thin Film: Characterization for Device Application

Широкозонний напівпровідник CuO є перспективним матеріалом, придатним для високотемпературних, високочастотних та високопотужних застосувань в електроніці і оптоелектронних \nпристроях через свої виняткові характеристики. Зокрема, на основі плівки CuO реалізуються короткохвильові світловипромінювальні пристрої завдяки великій ширині забороненої зони. Плівки CuO \nшироко використовуються для оптоелектронних застосувань у короткохвильовій частині видимого світла, особливо для лазерних діодів та світлодіодів. У роботі ми повідомляємо про властивості тонкої \nплівки з оксиду міді CuO, виготовленої дуже економічною технікою золь-гелю. Підготовлена плівка \nхарактеризується рентгенівською дифракцією (XRD) для структурного аналізу. Скануючий електронний мікроскоп визначає пористу морфологію, а елементний склад CuO підтверджується EDS. Спостерігається поява сильних і слабких раманівських піків у діапазоні 300-350 см – 1. Оптичне дослідження \nпроводиться за допомогою поглинання в УФ та видимій областях з прямої забороненої зони, розрахованої для підготовленої плівки, яка становить 2,43 еВ. Вимірювання характеристик I-V виконуються \nза двозондовою технікою, а плівка CuO демонструє напівпровідникову поведінку з енергією активації \n0,21 еВ. Таким чином, отримані результати вказують на можливість використання CuO в електронних пристроях та різних інших оптичних застосуваннях.