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P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2

材料科学 导电体 电导率 透明导电膜 光电子学 氧化物 带隙 透明度(行为) 吸收(声学) 薄膜 电阻率和电导率 可见光谱 纳米技术 化学 物理 复合材料 计算机科学 物理化学 冶金 量子力学 计算机安全
作者
Hiroshi Kawazoe,Masahiro Yasukawa,Hiroyuki Hyodo,Masaaki Kurita,Hiroshi Yanagi,Hideo Hosono
出处
期刊:Nature [Springer Nature]
卷期号:389 (6654): 939-942 被引量:2062
标识
DOI:10.1038/40087
摘要

Optically transparent oxides tend to be electrical insulators, by virtue of their large electronic bandgap (⩾3.1 eV). The most notable exceptions are doped versions of the oxides In2O3, SnO2 and ZnO—all n-type (electron) conductors—which are widely used as the transparent electrodes in flat-panel displays1,2. On the other hand, no transparent oxide exhibiting high p-type (hole) conductivity is known to exist, whereas such materials could open the way to a range of novel applications. For example, a combination of the two types of transparent conductor in the form of a pn junction could lead to a ‘functional’ window that transmits visible light yet generates electricity in response to the absorption of ultraviolet photons. Here we describe a strategy for identifying oxide materials that should combine p-type conductivity with good optical transparency. We illustrate the potential of this approach by reporting the properties of thin films of CuAlO2, a transparent oxide having room-temperature p-type conductivity up to 1 S cm−1. Although the conductivity of our candidate material is significantly lower than that observed for the best n-type conducting oxides, it is sufficient for some applications, and demonstrates that the development of transparent p-type conductors is not an insurmountable goal.
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