MOSFET
CMOS芯片
绝缘体上的硅
低温
材料科学
表征(材料科学)
光电子学
低温学
工程物理
电气工程
电子工程
工程类
纳米技术
物理
硅
晶体管
电压
热力学
复合材料
作者
Arnout Beckers,Farzan Jazaeri,Christian Enz
标识
DOI:10.1109/cicta.2018.8706117
摘要
This paper presents an intensive overview of the characterization and modeling of advanced 28-nm bulk and FDSOI CMOS processes operating continuously from room down to deep cryogenic temperature.
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