A Bipolar 3-Level High-Voltage Pulser for Highly Integrated Ultrasound Imaging Systems

计算机科学 符号 电气工程 数学 算术 工程类
作者
Lara Novaresi,P. Malcovati,Andrea Mazzanti,Edoardo Bonizzoni
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Ii-express Briefs [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:70 (5): 1709-1713 被引量:4
标识
DOI:10.1109/tcsii.2023.3255307
摘要

This brief presents a design solution for a bipolar return to zero (RZ) 3-level high-voltage TX pulser for high performance portable ultrasound medical imaging systems. Designed to be integrated in the front end of a PMUT probe composed by a 64-channel array working in the 1–10 MHz frequency range, the pulser is compact and power efficient as it employs minimum number of power transistors while ensuring high transmitting linearity because of the implementation of the RZ state. The circuit presents programmable features such as variable delays and rise/fall times to be controlled independently through a digital interface and it dissipates only 4.5 mW to bias the PMUT in RX state while achieving a small $R_{eq}$ ( $2.24~\Omega$ ). Transistor level and post-layout simulations performed in a BCD-SOI 0.16- $\mu \text{m}$ technology are reported to demonstrate the effectiveness of the approach.
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