Two-dimensional materials based volatile memristors mediated by flexoelectric effect

记忆电阻器 材料科学 纳米技术 复合材料 工程物理 工程类 电子工程
作者
Menghan Deng,Zhaotan Gao,Lin Wang,Zhangchen Hou,Xionghu Xu,Li Chen,Anyang Cui,Kai Jiang,Liyan Shang,Liangqing Zhu,Yawei Li,Jinzhong Zhang,Zhigao Hu
出处
期刊:Nano Today [Elsevier BV]
卷期号:57: 102332-102332 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.nantod.2024.102332
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