Germanium monosulfide monolayer: a novel two-dimensional semiconductor with a high carrier mobility

材料科学 单层 半导体 电子迁移率 光电子学 工程物理 纳米技术 工程类
作者
Feng Li,Xiuhong Liu,Yu Wang,Yafei Li
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:4 (11): 2155-2159 被引量:250
标识
DOI:10.1039/c6tc00454g
摘要

GeS monolayer is semiconducting with a moderate band gap and it also has rather high carrier mobilities.
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