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作者
Fabio Telesca,Fabio Signorelli,Alberto Tosi
标识
DOI：10.1109/ipc48725.2021.9592889
摘要
We present a comprehensive model to estimate photon detection efficiency (PDE) of InGaAs/InP single photon avalanche diodes (SPADs) through bidimensional simulations, including the temperature dependence of both optical and electrical properties, aimed at assisting the design of enhanced-PDE detectors.
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