A 2.65 GHz Doherty Power Amplifier Using Internally-Matched GaN-HEMT

본 논문에서는 내부 정합된 GaN-HEMT를 이용하여 2.65 GHz에서 동작하는 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 패키지 내부의 정합회로는 고조파 임피던스를 정합하기 위해 적용되었다. 동시에 기본주파수 임피던스가 부분적으로 정합되기 때문에 입력 및 출력 외부 정합회로는 간단해진다. 트랜지스터 패키지의 본드 와이어와 기생 성분은 EM 시뮬레이션을 통해 예측되었다. Doherty 전력증폭기는 48 V의 동작 전압을 인가하였으며, 6.5 dB의 PAPR을 갖는 LTE 신호에 대해 2.65 GHz에서 13.0 dB의 전력이득, 55.4 dBm의 포화전력, 49.1 %의 효율 및 -26.3 dBc의 ACLR 특성을 얻었다. This paper presents a 2.65 GHz Doherty power amplifier with internally-matched GaN HEMT. Internal matching circuits were adopted to match its harmonic impedances inside the package. Simultaneously, due to the partially matched fundamental impedance, input and output matching networks become simpler. Bond wires and parasitic elements of transistor package were predicted by EM simulation. For the LTE signal with 6.5 dB PAPR, the implemented Doherty power amplifier shows a power gain of 13.0 dB, a saturated output power of 55.4 dBm, an efficiency of 49.1 %, and ACLR of -26.3 dBc at 2.65 GHz with an operating voltage of 48 V.