A Modulation Electric Field Technique to Improve the LD-MOSFET Performance with a P-type Ga2O3 Pocket

MOSFET 材料科学 功勋 电场 光电子学 电气工程 信道长度调制 短通道效应 绝缘体上的硅 功率MOSFET 场效应晶体管 阈值电压 晶体管 电压 物理 工程类 量子力学
作者
Seyed Mohammad Hosein Jafari,Ali A. Orouji,Dariush Madadi
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (9): 4057-4064 被引量:2
标识
DOI:10.1007/s12633-023-02326-5
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