Strain engineering on electronic structure and carrier mobility in monolayer GeP3

应变工程 单层 拉伤 材料科学 电子迁移率 工程物理 光电子学 纳米技术 工程类 医学 内科学
作者
Bowen Zeng,Mengqiu Long,Xiaojiao Zhang,Yulan Dong,Mingjun Li,Yougen Yi,Haiming Duan
出处
期刊:Journal of Physics D [Institute of Physics]
卷期号:51 (23): 235302-235302 被引量:58
标识
DOI:10.1088/1361-6463/aac0a4
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