| 标题 |
Qualitative analysis of excess noise in nanoscale MOSFET 相关领域
散粒噪声
介观物理学
噪音(视频)
MOSFET
突发噪声
闪烁噪声
纳米尺度
噪声发生器
材料科学
物理
统计物理学
光电子学
降噪
噪声系数
凝聚态物理
噪声测量
声学
计算机科学
纳米技术
噪声地板
光学
量子力学
晶体管
CMOS芯片
图像(数学)
探测器
人工智能
电压
放大器
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Chinese Physics 作者:Tang Dong-He; Lei Du; Tinglan Wang; Hua Chen; Chen Wenhao 出版日期:2011-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)