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 Realization of Low Dislocation Density AlN on Patterned Sapphire Substrate by Hydride Vapor‐Phase Epitaxy for Deep Ultraviolet Light‐Emitting Diodes 用氢化物气相外延在图案化蓝宝石衬底上实现低位错密度AlN用于深紫外发光二极管
相关领域
材料科学
发光二极管
光电子学
蓝宝石
外延
紫外线
基质（水族馆）
位错
化学气相沉积
二极管
纳米技术
光学
复合材料
图层（电子）
激光器
地质学
物理
海洋学
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Seung-Jae Lee; Seong Ran Jeon; Sung Hoon Jung; Young‐Jun Choi; Hae-Gon Oh; et al 出版日期：2023-03-30 |
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