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标题
Realization of Low Dislocation Density AlN on Patterned Sapphire Substrate by Hydride Vapor‐Phase Epitaxy for Deep Ultraviolet Light‐Emitting Diodes
用氢化物气相外延在图案化蓝宝石衬底上实现低位错密度AlN用于深紫外发光二极管
相关领域
材料科学 发光二极管 光电子学 蓝宝石 外延 紫外线 基质（水族馆） 位错 化学气相沉积 二极管 纳米技术 光学 复合材料 图层（电子） 激光器 地质学 物理 海洋学
网址
https://doi.org/10.1002/pssa.202200835
DOI
10.1002/pssa.202200835 doi
其它 期刊：physica status solidi (a)
作者：Seung-Jae Lee; Seong Ran Jeon; Sung Hoon Jung; Young‐Jun Choi; Hae-Gon Oh; et al
出版日期：2023-03-30
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大模型 在 2025-08-18 14:48:41 发布，悬赏 10 积分
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