Fabrication and characterization of novel Ga-doped WO3 films and n-Ga@WO3/p-Si junction diode for optoelectronic device applications

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标题	Fabrication and characterization of novel Ga-doped WO3 films and n-Ga@WO3/p-Si junction diode for optoelectronic device applications
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S138770032...
DOI	10.1016/j.inoche.2022.109291 doi
其它	期刊：Inorganic Chemistry Communications 作者：M. Raja; R. Marnadu; M. Balaji; K. Ravikumar; V. Gopala Krishna; et al 出版日期：2022-02-12
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