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 Electromigration Reliability of Barrierless Ruthenium and Molybdenum for Sub-10 nm Interconnection 用于亚10nm互连的无势垒钌和钼的电迁移可靠性
相关领域
电迁移
互连
材料科学
可靠性（半导体）
平均故障间隔时间
钼
光电子学
制作
复合材料
可靠性工程
计算机科学
冶金
故障率
医学
计算机网络
功率（物理）
物理
替代医学
病理
量子力学
工程类
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Jungkyun Kim; Hakseung Rhee; Myeong Won Son; Juseong Park; Gwangmin Kim; et al 出版日期：2023-04-26 |
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