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Effect of tensile strain on photoelectric properties of C-doped SnSe2 system 拉应变对C掺SnSe 2体系光电性能的影响
相关领域
兴奋剂
光电效应
拉伤
极限抗拉强度
拉伸应变
材料科学
化学
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光电子学
生物
解剖
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期刊:Surface Science 作者:Miaomiao Lou; Guili Liu; Meng Xu; Yuan Liu; Guoying Zhang 出版日期:2025-01-01 |
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