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标题
Total Ionizing Dose Hardening of Planar SOI MOSFET Through an Optimal Design Combining Embedded Void and H-Gate Structures
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DOI
10.1109/LED.2023.3305311 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Jin Chen; Qiang Liu; Zhiqiang Mu; Xing Wei; Wenjie Yu
出版日期:2023-08-15
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