Memory Window and Endurance Improvement of Hf0.5Zr0.5O2-Based FeFETs with ZrO2 Seed Layers Characterized by Fast Voltage Pulse Measurements

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标题	Memory Window and Endurance Improvement of Hf0.5Zr0.5O2-Based FeFETs with ZrO2 Seed Layers Characterized by Fast Voltage Pulse Measurements
网址	https://doi.org/10.1186/s11671-019-3063-2
DOI	10.1186/s11671-019-3063-2 doi
其它	期刊：Nanoscale Res Lett 作者：Xiao W, Liu C, Peng Y, Zheng S, Feng Q, Zhang C, Zhang J, Hao Y, Liao M, Zhou Y 出版日期：2019-07-26
求助人	雨天在 2026-09-08 10:36:49 发布自上海，悬赏 10 积分
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