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 A Raised Source/Drain Dopingless Tunnel FET with Stacked Source: Design and Analysis 具有堆叠源极的凸起源极/漏极无掺杂隧道场效应晶体管的设计与分析
相关领域
双极扩散
材料科学
隧道场效应晶体管
阈下摆动
量子隧道
光电子学
晶体管
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制作
阈下传导
场效应晶体管
阈下斜率
等离子体
工程物理
纳米技术
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期刊：Silicon 作者：Kanchan Cecil; Jawar Singh; Dip Prakash Samajdar 出版日期：2021-05-13 |
| 求助人 |
摸鱼主编magazine
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2025-08-29 18:18:59 发布，悬赏 10 积分
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