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 Interfacial charge analysis and temperature sensitivity of germanium source vertical tunnel FET with delta-doped layer δ掺杂层锗源垂直隧道场效应管界面电荷分析及温度敏感性
相关领域
接受者
量子隧道
材料科学
兴奋剂
锗
光电子学
晶体管
阈下传导
硅
分析化学（期刊）
凝聚态物理
化学
电压
电气工程
物理
工程类
色谱法
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：K. Vanlalawmpuia; Brinda Bhowmick 出版日期：2022-03-12 |
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