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Investigation of surface reactions of etched SiN films using HF/PF3 gas mixture plasma under cryogenic conditions via in-line XPS: The role of ammonium salts in etch rate enhancement
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DOI
10.1116/6.0005201 doi
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future 在 2026-09-24 10:39:57 发布自美国,悬赏 10 积分
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