Tunable bandgap and Si-doping in N-polar AlGaN on C-face 4H-SiC via molecular beam epitaxy

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标题	Tunable bandgap and Si-doping in N-polar AlGaN on C-face 4H-SiC via molecular beam epitaxy 相关领域材料科学分子束外延光电子学外延宽禁带半导体兴奋剂电子迁移率带隙碳化硅半导体纳米技术冶金图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1063/5.0173637
DOI	10.1063/5.0173637 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Shubham Mondal; Ding Wang; A F M Anhar Uddin Bhuiyan; Mingtao Hu; Maddaka Reddeppa; et al 出版日期：2023-10-30
求助人	生动娩在 2026-01-09 23:09:05 发布自上海，悬赏 10 积分
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