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 Basic Mechanisms of Threshold-Voltage Instability and Implications for Reliability Testing of SiC MOSFETs 相关领域
阈值电压
负偏压温度不稳定性
压力（语言学）
MOSFET
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Aivars J. Lelis; Ron Green; Daniel B. Habersat; Mooro El 出版日期：2014-10-09 |
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