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 Investigation of Cell Variation Effect on Z-Interference in Charge-Trap-Based 3-D NAND Flash Memory 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Sangmin Ahn; Hyungjun Jo; Sechun Park; Jongwoo Kim; Hyungcheol Shin 出版日期：2025-02-19 |
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