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  Improved performance of InGaAs/AlGaAs quantum well lasers on silicon using InAlAs trapping layers 相关领域
材料科学
光电子学
激光器
激光阈值
包层（金属加工）
量子阱
俘获
电流密度
分子束外延
硅
占空比
砷化镓
外延
砷化铟镓
光学
波长
图层（电子）
电压
纳米技术
冶金
物理
生物
量子力学
生态学
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期刊：Optics Express 作者：Zhuoliang Liu; Hao Liu; Chen Jiang; Bojie Ma; Jun Wang; et al |
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