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 Improvement of the RON- BV Tradeoff in Field-Plate MOSFETs by Localized Fixed Charges in the Trench Oxide 通过沟槽氧化物中的局部固定电荷改善场板MOSFET中的RON-BV折衷
相关领域
沟槽
MOSFET
材料科学
领域（数学）
氧化物
光电子学
工程物理
电气工程
物理
纳米技术
工程类
数学
电压
晶体管
冶金
纯数学
图层（电子）
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| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Taichi Fukuda; Yusuke Kobayashi; S. Baba; Hiro Gangi; Hiroki Nemoto; et al 出版日期：2024-06-02 |
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