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Origin of high carrier concentration in amorphous wide-bandgap oxides: Role of disorder in defect formation and electron localization in In2O3−x 非晶宽带隙氧化物中高载流子浓度的起源:无序在In2O3-x中缺陷形成和电子局域化中的作用
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Julia E. Medvedeva; И. А. Журавлев; C. Burris; D. Bruce Buchholz; M. Grayson; et al 出版日期:2020-05-01 |
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