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 Impact of STI-induced stress, inverse narrow width effect, and statistical V/sub TH/ variations on leakage currents in 120 nm CMOS STI诱导的应力、反向窄宽度效应和统计V/Sub TH/变化对120 nmMOS中泄漏电流的影响
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期刊： 作者：C. Pacha; B. Martin; K. von Arnim; Ralf Brederlow; D. Schmitt‐Landsiedel; et al 出版日期：2004-11-22 |
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