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 Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD) 带续流肖特基势垒二极管(SBD)的E模B掺杂GaN覆盖AlGaN DH-HEMT开关瞬态分析与表征
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
肖特基势垒
肖特基二极管
欧姆接触
氮化镓
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宽禁带半导体
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：S. Baskaran; A. Mohanbabu; Saminathan Veerappan; P. Murugapandiyan; Mohammed Wasim; et al 出版日期：2020-04-13 |
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