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  Design and Process Analysis of a Split-Gate Trench Power MOSFET with Bottom-Trench High-k Pillar Superjunction for Enhanced Performance 具有底部沟槽高k柱超结的分栅沟槽功率MOSFET的设计和工艺分析
相关领域
沟槽
MOSFET
支柱
功率MOSFET
材料科学
过程（计算）
光电子学
工程物理
电气工程
计算机科学
工程类
纳米技术
图层（电子）
晶体管
结构工程
电压
操作系统
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| 其它 |
期刊：IEEE Access 作者：Yunteng Jiang; Zhiguang Xiao; Zonghao Zhang; Junchen Zhang; Chenxing Wang; et al 出版日期：2025-01-01 |
| 求助人 |
孟孟孟
在
2025-08-04 18:07:35 发布，悬赏 10 积分
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