Investigation of resistive switching and transport mechanisms of Al2O3/TiO2−x memristors under cryogenic conditions (1.5 K)

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标题	Investigation of resistive switching and transport mechanisms of Al2O3/TiO2−x memristors under cryogenic conditions (1.5 K)
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.5140994
DOI	10.1063/1.5140994 doi
其它	期刊：AIP Advances 作者：Yann Beilliard; François Paquette; Frédéric Brousseau; Serge Ecoffey; Fabien Alibart; et al 出版日期：2020-02-01
求助人	生动绫在 2026-08-31 11:37:48 发布自浙江，悬赏 10 积分
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