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 Nanosheet-based Complementary Field-Effect Transistors (CFETs) at 48nm Gate Pitch, and Middle Dielectric Isolation to enable CFET Inner Spacer Formation and Multi-Vt Patterning 基于纳米片的互补场效应晶体管（CFETs），栅极间距为48纳米，中间电介质隔离，以实现CFET内部间隔物形成和多Vt图案化
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期刊： 作者：Hans Mertens; Maryam Hosseini; T. Chiarella; D. L. Zhou; S. Wang; et al 出版日期：2023-06-11 |
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