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Mechanism of Formation of Carbon–Vacancy Structures in Silicon Carbide during Its Growth by Atomic Substitution 碳化硅原子取代生长过程中碳空位结构的形成机理
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期刊:Physics of the Solid State 作者:С. А. Кукушкин; А. В. Осипов 出版日期:2018-09-01 |
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