| 标题 |
 Selective area epitaxy of GaAs films using patterned graphene on Ge 在Ge上使用图案化石墨烯选择性区域外延GaAs薄膜
相关领域
成核
退火（玻璃）
材料科学
石墨烯
外延
选择性
光电子学
基质（水族馆）
分子束外延
表面扩散
凝聚态物理
纳米技术
化学
催化作用
物理化学
复合材料
图层（电子）
物理
有机化学
吸附
地质学
海洋学
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Zheng Hui Lim; Sebastian Manzo; Patrick J. Strohbeen; Vivek Saraswat; Michael S. Arnold; et al 出版日期：2022-01-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
大力的冬萱
cdercder
ale
Avalonx
OK
yjh123
arniu2008
lx
初景
嘉心糖
liuzhuohao
行走的荷尔蒙
乐空思
lizishu
MozzieMiao
学术文献互助
Oracle
Copyright
Nole
皖公网安备34019202002308
